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这意味著，ai不再仅仅追求理论上的高性能指標，而是必须將“稳定性”这一在实践中至关重要的因素，作为不可妥协的先决条件融入设计。
大量的曾经被標记为“失败”但蕴含宝贵过程数据的实验记录，被重新输入“万象”，进行深度学习和反向推演。
经过几天几夜的高强度计算，“万象”给出了数个经过大幅修正的合成路径。这些方案摒弃了之前追求极致性能的一些激进参数，转而採取了一种更温和的策略：
在退火的关键阶段，不再採用简单的线性降温，而是引入了一个非常精细的“多步平台与震盪降温”曲线，旨在绕过可能触发那致命副反应的热力学敏感区间。
对反应舱內的气压和微量载气成分进行了精確到帕斯卡级別的调控，创造一种能抑制不稳定中间相形成的局部环境。
在原本的复合硫化物基础上，引入了微量的第三种稀土元素作为“稳定剂”，旨在填充可能產生的晶格空位，强化化学键。
第一次验证实验，在一种高度紧张的氛围中开始。
所有人都围在总控台前，目光紧盯著各项数据曲线。反应前期、中期顺利度过，来到了决定命运的退火阶段。温度开始按照新的、复杂的曲线下降————平台期————轻微震盪————
那个微弱的信號没再出现，整个退火过程安全结束，当反应舱指示灯由红转绿，標誌著合成完成时，实验室里静得能听到彼此的呼吸声。
样品被迅速取出进行初步表徵。
电学性能测试首先传来捷报——其载流子迁移率不仅达到了预期的高水平，甚至因为有效避免了缺陷散射，比之前的很多高性能但不稳定的样品还要出色！
紧接著，是最关键的环境稳定性测试。那片闪烁著暗银色光泽的样品被置於模擬大气的测试舱中，暴露在可控的温度和湿度下。
一小时，性能参数无变化。
十小时，曲线依旧平稳。
二十四小时！衰减率低於百分之二！
四十八小时！七十二小时！数据稳如磐石！
“成功了！我们成功了！”实验室里爆发出震耳的欢呼和掌声，许多人相拥而泣，释放著长期压抑的压力。
但这仅仅是开始。
团队乘胜追击，他们让“万象”將这一成功策略应用到更广阔的材料搜索空间中，目標直指兼具超高迁移率、卓越稳定性、且与现有硅基工艺兼容的理想半导体材料。
一周后，“万象”给出了一个令人振奋的新方案：一种层状结构的稀土硫属化合物（rech）与特定过渡金属元素形成的异质结材料。
理论预测显示，这种材料不仅拥有堪比石墨烯的极高载流子迁移率，其独特的能带结构和强大的化学键使其本徵稳定性极高，更重要的是，其合成温度与硅工艺后端兼容！
后续的合成与测试验证了这一切。这种新型半导体材料的表现超出了所有人的预期：
性能卓越，室温下的电子迁移率是现有高端硅材料的20倍以上，且具备优异的开关特性。
稳定可靠，在高温、高湿及强电场加速老化测试中，性能衰减可忽略不计，寿命预测远超工业標准。
工艺友好，採用低温气相沉积法即可在硅衬底上实现高质量生长，与现有集成电路製造流程无缝衔接。
这种新型半导体材料的成功合成与验证，代表的绝不仅仅是一种新物质的出现，它代表著“后硅时代”真正有了清晰可见的路线图。过去几十年，摩尔定律逐渐逼近物理极限，全球半导体產业都在焦虑地寻找“下一个硅”，但诸多候选材料都因稳定性、工艺兼容性或成本问题折戟沉沙。
而这种新材料的出现，证明了存在一种物质，能在性能、稳定性和可製造性这三个关键维度上同时超越硅，为整个电子信息產业打破了天花板，指明了未来数十年前进的方向。晶片的算力、能效將有可能迎来一次质的飞跃。
同时它代表著一场从材料源头开始的、贯穿整个製造链条的顛覆性变革。
由於其与现有硅基工艺兼容，意味著全球庞大的晶片製造基础设施不必被完全推翻，可以通过技术改造和升级来接纳这种新材料。
这將催生全新的设备研发、工艺开发、晶片设计和封装测试產业链，创造巨大的新市场和经济价值。
同时，它也动摇了传统半导体强国的技术壁垒，为后来者提供了“换道超车”的战略机遇。
它更代表著无数曾经只存在於科幻小说或理论中的技术应用，第一次具备了实现的物质基础。
极高迁移率带来的超低功耗和超高性能，使得真正的“全天候”智能穿戴设备、植入式医疗晶片成为可能。
为处理太赫兹频段信號所需的超高速、低噪声晶片提供了核心材料支撑。
並且能够支撑更复杂、更庞大的神经网络模型在终端设备上实时运行，极大推动边缘ai的发展。
其优异的特性可能成为连接经典计算与量子计算的高效桥樑。
根据实验，这种材料对於对微弱信號的高度敏感性，可用於环境监测、医疗诊断、天文观测等领域的下一代高精度传感器。
所以这种材料的出现必將在科研界和產业界引起更广泛的影响。
当李建平教授拿著那片闪烁著暗银色光泽的样品，心里是复杂的，它的意义，早已超越了材料本身。
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